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超级结MOSFET及低成本IGBT方案用于电动汽车充电桩

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剧情简介

电动汽车进程在?#20013;平?#20197;配合节能减排的趋势,对充电桩的需求激增。为缩短充电时间和节省空间,需要更高能效、输出功?#30465;?#21151;率密度和可靠的电源模块方案。本次研讨会将重点介绍安森美半导体强大阵容中的高压超级结MOSFET、具成本优?#39057;?/span>IGBT及二极管方案,关键参数优于竞争对手,有助于实现更高?#38405;堋?#33021;效?#36879;?#20302;损?#27169;?#26159;用于电动汽车充电桩DC-DC、功率因数校正(PFC)等电源模块的极佳选择。

 

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